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IRFH7107TR2PBF是MOSFET 75V 75A 8.5mOhm 48nC Qg，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-6，该PQFN-6提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单配置，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为3.6 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6.5 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为75 A，Vds漏极-源极击穿电压为75 V，Rds漏极源极电阻为8.5 mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为48nC，正向跨导Min为68S。
IRFH7107TRPBF是MOSFET N-CH 75V 14A 8PFN，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘等封装功能，通道数设计为在1个通道中工作。
IRFH7110TRPBF是“由IR制造的MOSFET MOSFET。IRFH71110TRPBF采用QFN8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持”MOSFET、MOSFETMOSFET、100V、58A 13.5 mOhm、58 nC Qg。
IRFH7182TRPBF带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRFH7182 TRPBF采用QFN封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET MOSFET、N沟道100V 23A（Ta）、157A（Tc）4W（Ta），195W（Tc）表面安装8-PQFN（5x6）、MOSFETMOSFET、100V、155A、3.9 mOhm、45 nC Qg、PQFN 5x6”。
