9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3459DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3459DV-T1-E3参考价格为1.576美元。Vishay Siliconix SI3459DV-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP。您可以下载SI3459DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI3459BDV-T1-GE3是MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI3459BDV-GE3的零件别名，该SI3459BDV-GE3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为3.3W，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为350pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.9A（Tc），最大Id Vgs的Rds为216 mOhm@2.2A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V，Pd功耗为2 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为13 ns 10 ns，上升时间为60 ns 12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Vgs栅-源极阈值电压为-3 V，漏极-漏极电阻为216 mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为16ns 18ns，典型接通延迟时间为45ns 5ns，Qg栅极电荷为4.4nC，正向跨导最小值为4s，信道模式为增强。
SI3459BDY-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI3459BDY-T1-E3采用SOT23-6封装，是IC芯片的一部分。
SI3459DV-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6引脚TSOP T/R。SI3459DV-T1采用SOT23-6封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH 60V 2.2A 6引脚TSOP T/R。
