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IPD042P03L3 G是MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3，包括OptiMOS？系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，数据表注释中显示了用于IPD0042P03L3GBTMA1 IPD042P03L3GXT SP000473922的零件别名，该设备提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该设备也可以用作to-252-3、DPak（2引线+标签）、，SC-63包装箱。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PG-TO252-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为150W，晶体管类型为1 P通道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为12400pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为70A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为4.2mOhm@70A，10V，Vgs最大Id为1V@270μA，栅极电荷Qg-Vgs为175nC@10V，Pd功耗为150W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为167 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为70 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为4.2 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为89ns，典型接通延迟时间为21ns，信道模式为增强。
IPD040N03LGBTMA1带有用户指南，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.13932 oz单位重量运行，数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该N沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该器件也可以用作漏极-源极电阻上的4毫欧Rds。此外，零件别名为G IPD040N03L IPD040NO3LGXT SP000254715，该设备采用卷筒包装，该设备具有TO-252-3封装盒，通道数为1通道，Id连续漏电流为90 a。
IPD0042P03L3GATMA1，带有电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计为使用to-252-3封装盒操作。数据表说明中显示了用于卷筒的封装，该卷筒提供了部件别名功能，如G IPD0042P02L3 SP001127836，技术设计为在Si中工作，以及P通道晶体管极性，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。
