9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUP75P05-08-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUP75P05-08-E3参考价格为3.210598美元。Vishay Siliconix SUP75P05-08-E3封装/规格：MOSFET P-CH 55V 75A TO220AB。您可以下载SUP75P05-08-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SUP75P03-07-E3是MOSFET P-CH 30V 75A TO220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-220AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道、金属氧化物，最大功率为3.75W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为9000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为75A（Tc），最大Id Vgs的Rds为7 mOhm@30A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为240nC@10V，Pd功耗为187 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为210 ns，上升时间为225 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为75A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-漏极电阻为7mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为150ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强。
SUP75N08-10是VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3引脚（3+Tab）TO-220AB。SUP75N08-10采用TO-220封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET N-CH 75V 75A 3引脚（3+Tab）TO-220AB。
SUP75P05-08是VISHAY制造的MOSFET P-CH 55V 75A TO220-3。SUP75P05-08以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 55V 75A TO220-3、Trans MOSFET P-CH55V 75B 3-Pin（3+Tab）TO-220AB。
