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IPD68P03L3 G是MOSFET P-Ch-30V-70A DPAK-2 OptiMOS P3，包括OptiMOS P3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD68803L3GBTMA1 IPD68903L3GXT SP000472988，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 P通道，Pd功耗为100 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-70A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds漏极源极导通电阻为6.8mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为84nS，Qg栅极电荷为68nC。
IPD068P03L3GATMA1，带有用户指南，包括1个P沟道晶体管类型，它们设计为与P沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该技术提供了部件别名功能，如G IPD068803L3 SP001127838，包装设计为在卷筒中工作，以及to-252-3包装箱，该设备也可以用作1信道数信道。
IPD068P03L，带有INFINEON制造的电路图。IPD68P03L可在SOT252封装中获得，是FET的一部分-单个。
