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AUIRLL014NTR

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: PG-SOT223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 30
  • 单价: ¥5.86892
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.87
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 55 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 最大功耗 1W(Ta)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14 nC@10 V
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 供应商设备包装 PG-SOT223-4
  • 部件状态 过时的
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 230 pF@25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 140毫欧姆@2A,10V

AUIRLL014NTR 产品详情

AUIRLL014NTR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AUIRLL014NTR 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AUIRLL014NTR价格参考¥5.868922,你可以下载 AUIRLL014NTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AUIRLL014NTR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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