9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3460DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3460DV-T1-E3参考价格为10.708美元。Vishay Siliconix SI3460DV-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP。您可以下载SI3460DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si3460DDV-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si3460DDV-GE3的零件别名，该SI3460DMV-GE3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.7W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为666pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7.9A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为28mOhm@5.1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为18nC@8V，Pd功耗为2.7W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为8 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为7.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs第栅-源极阈值电压为1 V，Rds漏极源极电阻为23 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为12nC，正向跨导Min为35S。
SI3460DV，带有VISHAY制造的用户指南。SI3460DV在TSOP-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI3460DV-T1是由IR制造的Trans-MOSFET N-CH 20V 5.1A 6引脚TSOP T/R。SI3460DV-1采用TSOP-6封装，是FET的一部分-单个，并支持Trans-MOSMOSFET N-CH 220V 5.1A 6针TSOP T/R。
