9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STULED625，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STULED625参考价格为10.756美元。STMicroelectronics STULED625封装/规格：MOSFET N-CH 620V 5A IPAK。您可以下载STULED625英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STULED625带有引脚细节，包括STULED625-系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，具有通孔等安装样式功能，包装盒设计用于IPAK-3以及Si技术，该设备也可作为1通道数的通道使用。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供5 A Id连续漏极电流，器件具有620 V Vds漏极-源极击穿电压，Rds漏极源极电阻为1.28欧姆，晶体管极性为N沟道。
带有用户指南的STULED524，包括525 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.13932 oz，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供N沟道等晶体管极性特性，技术设计用于Si，以及STULED528系列，该器件也可以用作2.1欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，装置采用IPAK-3包装盒，装置具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为4A。
带有电路图的STULED623，包括3 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，数据表注释中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供IPAK-3等封装外壳功能，封装设计用于管内，以及3欧姆Rds漏极源电阻，该设备也可以用作STULED623系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.139332盎司，Vds漏极-源极击穿电压为620 V。
STUK5D5T-1.5KE250A，带有EIC制造的EDA/CAD模型。STUK5D5T-1.5KE250A采用SMC封装，是IC芯片的一部分。
