9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4401DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4401DY-T1-E3参考价格为0.79美元。Vishay Siliconix SI4401DY-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO。您可以下载SI4401DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4401DDY-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4401DDY-GE3的零件别名，该SI4401DDY-GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数量的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为6.3W，晶体管类型为1个P通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为3007pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为16.1A（Tc），最大Id Vgs的Rds为15 mOhm@10.2A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为95nC@10V，Pd功耗为6.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Id连续漏极电流为-16.1A，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Rds漏极源极电阻为12mOhms，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为64nC，正向跨导最小值为37S。
SI4401DY是由SI制造的Trans-MOSFET P-CH 40V 8.7A 8引脚SOIC N。SI4401D可在SOP8封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持Trans-MOSMOSFET P-CH 40 V 8.7A 8-Pin SOIC N。
SI4401DY-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8引脚SOIC N T/R。SI4401DY-T1在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8引脚SOIC N T/R。
