9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD180N10N3GBTMA1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD180N10N3GBTMA1参考价格$3.65。Infineon Technologies IPD180N10N3GBTBTMA1封装/规格:MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3。您可以下载IPD180N10N3GBTBTMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD180N10N3 G是MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3,包括OptiMOS?系列,它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用。数据表注释中显示了IPD180N10N3GBTMA1 IPD180N1 0N3GBXT SP000482438中使用的零件别名,该设备提供单位重量功能,例如0.13932盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及to-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装盒,它的工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),该器件采用表面安装安装型,该器件具有1个通道数,供应商器件封装为PG-TO252-3,配置为单一,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,最大功率为71W,晶体管类型为1个N通道,漏极到源极电压Vdss为100V,输入电容Ciss Vds为1800pF@50V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为43A(Tc),最大Id Vgs的Rds为18mOhm@33A,10V,Vgs的最大Id为3.5V@33μA,栅极电荷Qg Vgs为25nC@10V,Pd功耗为71W,其最大工作温度范围为+175 C,它的最小工作温度范围为-55℃,下降时间为5 ns,上升时间为12 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为43 A,Vds漏极-源极击穿电压为100 V,Rds漏极源极电阻为18 mΩ,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为19 ns,典型开启延迟时间为12ns,信道模式为增强。
IPD170N04N G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3。IPD170N04N G提供TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3。
IPD170N04NG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3。IPD170N04NG采用TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3。