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IPD22N08S2L-50是MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装。IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N8S2L50XT SP000252163中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单信道配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为75W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10ns，上升时间为20ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为22A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强。
IPD230N06LG带有INF制造的用户指南。IPD230NO6LG采用TO-252-2封装，是IC芯片的一部分。
IPD230N06NG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 60V 30A DPAK。IPD230N06NG采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 60V 30A DPak。
IPD250N06N3G带有INF/EDA/CAD型号。IPD250NO6N3G采用TO-252-2封装，是FET的一部分-单体。
