VDSS=100V
RDS（开启）=26.5mΩ
ID=36A
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用最新的工艺技术，实现每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点是175°C结工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种非常高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用
特色
● 先进工艺技术
● 超低导通电阻
● 175°C工作温度
● 快速切换
● 允许重复雪崩达Tjmax
IRF540ZSTRLPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 92W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥30.92718
-
数量:
- +
- 总计: ¥30.93
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 63 nC @ 10 V
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 36A (Tc)
- 最大功耗 92W（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1770 pF @ 25 V
- 供应商设备包装 PG-TO263-3
- 导通电阻 Rds(ON) 26.5毫欧姆@22A，10V
IRF540ZSTRLPBF 产品详情
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IRF540ZSTRLPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF540ZSTRLPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF540ZSTRLPBF价格参考￥30.927183，你可以下载 IRF540ZSTRLPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF540ZSTRLPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
