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IPD530N15N3 G是MOSFET N-Ch 150V 21A DPAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD530N1 5N3GBTMA1 IPD530N 5N3GXT SP000521720，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为68 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为53mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为9ns。
IPD50R950CEBTMA1是MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及CoolMOS商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为950 mOhm，该器件提供10.5 nC Qg栅极电荷，该器件具有34 W的Pd功耗，部件别名为IPD50R950CE IPD50R050CEXT SP000992070，包装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为4.3 A，配置为单一。
IPD530N15N3GATMA1带有电路图，包括TO-252-3封装盒，它们设计为与卷筒封装一起工作。数据表注释中显示了IPD530N25N3G SP001127830中使用的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
IPD530N15N3G，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPD530N15N3G采用TO-252封装，是FET的一部分-单体。
