9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH7194TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH7194TRPBF价格参考6.646美元。Infineon Technologies IRFH7194TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PFN。您可以下载IRFH7194TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFH7191TRPBF带有引脚细节，包括卷筒封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了PQFN-8中使用的封装盒，该PQFN-8提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及单配置，该设备还可以用作104 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为3.6 ns，上升时间为6.1 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3.6 V，Rds导通漏极-源极电阻为8毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10.6纳秒，典型接通延迟时间为4.5纳秒，Qg栅极电荷为26纳秒，正向跨导最小值为112秒，沟道模式为增强。
IRFH7188TRPBF带有用户指南，包括3.6V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100V，提供典型的开启延迟时间功能，如4.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为4.5 ns，器件的漏极-源极电阻为6 mOhms Rds，器件的Qg栅极电荷为33 nC，Pd功耗为132 W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为105 A，正向跨导最小值为109 S，下降时间为3.4 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRFH7190TRPBF，带有由IR制造的电路图。IRFH7190 TRPBF采用8功率TDFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 15A、N沟道100V 15A（Ta）、82A（Tc）3.6W（Ta）和104W（Tc）表面安装PQFN（5x6）、MOSFET MOSFET 100V、82A、7.5 mOhm、26 nC Qg、PQFN 5x6。
