9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3853DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3853DV-T1-E3参考价格为5.394美元。Vishay Siliconix SI3853DV-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 1.6A 6TSOP。您可以下载SI3853DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI3853DV-T1-E3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI3851DV-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于SI3851DV T1零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Little Foot Plus，以及TSOP-6封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用肖特基二极管配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为830 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds漏极源极电阻为200mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
SI3851DV-T1-GE3是MOSFET 30V 1.8A 1.15W 200mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作200mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为830 mW，该器件以SI3851DV-GE3零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为1.6 a，配置为单肖特基二极管。
SI3853DV-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6引脚TSOP T/R。SI3853DV-T1在SOT23-6封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6引脚TSOP T/R。
