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IPD60R460CEATMA1带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于IPD60R4 60CE SP001276024零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于CoolMOS，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为74 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为10 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为9.1A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为460mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为28nC，沟道模式为增强。
IPD60R520C6是MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为85 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS C6系列，上升时间为10ns，漏极-源极电阻Rds为520mOhms，Qg栅极电荷为23.4nC，Pd功耗为66W，部件别名为IPD60R520C6BTMA1 IPD60R5 20C6XT SP000645070，包装为卷筒，包装盒为TO-252-3，通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为8.1 A，下降时间为14 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPD60R450E6ATMA1带有电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-252-3封装盒一起工作。数据表说明中显示了用于卷筒的包装，该卷筒提供了部件别名功能，如IPD60R4 50E6 SP001117720，技术设计为在Si中工作，以及CoolMOS商标，该设备也可以用作N通道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供600 V Vds漏极-源极击穿电压。
IPD60R520C6ATMA1，带EDA/CAD型号，包括TO-252-3封装盒，它们设计为使用硅技术操作。数据表备注中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计用于IPD60R5 20C6 SP001117722，以及CoolMOS商标，该器件也可以用作600V Vds漏极-源极击穿电压。此外，晶体管类型为1 N通道，该器件提供1通道通道数。
