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IPD60R600CP是MOSFET N-Ch 600V 6.1A DPAK-2 CoolMOS CP,包括CoolMOS系列CP,它们设计用于卷筒包装,零件别名如IPD60R700CPBTMA1 SP000405878中使用的数据表注释所示,该产品提供单位重量功能,例如0.13932盎司,安装类型设计用于SMD/SMT,以及CoolMOS商品名,该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为60 W,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为17 ns,上升时间为12 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为6.1A,Vds漏极-源极击穿电压为600V,Rds导通漏极-漏极电阻为600m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为75ns,典型接通延迟时间为17ns,沟道模式为增强。
IPD60R600C6ATMA1带有用户指南,包括600 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计用于1 N沟道晶体管类型,晶体管极性显示在数据表注释中,用于N沟道,提供CoolMOS等商品名功能,技术设计用于Si,以及IPD60R700C6SP001117726零件别名,该装置也可以用作卷筒包装。此外,包装箱为TO-252-3,该设备提供1信道数信道。
IPD60R600C6是INFINEON制造的MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252。IPD60R600C6采用TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装,是FET的一部分-单个,支持MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252。
IPD60R600C6(6R600C6),带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPD60R600C6(6R600C6)采用TO-252封装,是IC芯片的一部分。