PMCM650VNEZ

规格参数

• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
• 漏源电压标 (Vdss) 12伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 900mV @ 250A
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5伏
• 部件状态 过时的
• 漏源电流 (Id) @ 温度 6.4A (Ta)
• 导通电阻 Rds(ON) 25毫欧姆@3A，4.5V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15.4 nC@4.5 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1060 pF@6 V
• 最大功耗 556mW (Ta), 12.5W (Tc)
• 供应商设备包装 6-WLCSP (1.48x0.98)
• 包装/外壳 6-XFBGA, WLCSP