9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2335DS-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2335DS-T1-E3参考价格为21.084美元。Vishay Siliconix SI2335DS-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3。您可以下载SI2335DS-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2333DS-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3，包括卷筒包装，它们设计用于SI2333DS-ME3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-23-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有750 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4.1 a，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，漏极-源极电阻Rds为32m欧姆，晶体管极性为P沟道。
Si2333DS-T1-E3/E3，用户指南由30000VISHAY制造。Si2333DS-T1-E3/E3采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
SI2335DS-T1是VISHAY制造的Trans-MOSFET P-CH Si 12V 3.2A 3引脚TO-236 T/R。SI2335DS-T1在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans-MOSFET P-CH Si 12V 3.2A 3引脚TO-236 T/R。
