9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4384DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4384DY-T1-E3参考价格1.826美元。Vishay Siliconix SI4384DY-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 10A 8SO。您可以下载SI4384DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4382DY-T1-GE3是MOSFET 30V 4.7mohm@10V，包括卷轴封装，它们设计用于SI4382DY-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.6 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为13 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，漏极-源极电阻Rds为37毫欧姆，晶体管极性为N沟道。
SI4382DY-TI-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI4382DY-TI-E3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
SI4384DY，带有SI制造的电路图。SI4384SY可在SOP-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
