该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
特色
描述
该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一功能尺寸”的最新发展™” 基于条带的工艺。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此是一种卓越的制造
再现性。
全体的
VDSS RDS(on)类型ID(1)
STB140NF55 55V<0.008Ω 80安培
STB140NF55-1 55V<0.008Ω 80安培
STP140NF55 55V<0.008Ω 80安培
1.包装限制电流