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STB140N4F6
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STB140N4F6

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 168W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥11.70453
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.70
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 工作温度 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
  • 最大功耗 168W(Tc)

STB140N4F6 产品详情

该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。

特色

描述
该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一功能尺寸”的最新发展™” 基于条带的工艺。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此是一种卓越的制造
再现性。

全体的
VDSS RDS(on)类型ID(1)
STB140NF55 55V<0.008Ω 80安培
STB140NF55-1 55V<0.008Ω 80安培
STP140NF55 55V<0.008Ω 80安培
1.包装限制电流

STB140N4F6所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STB140N4F6 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STB140N4F6价格参考¥11.704526,你可以下载 STB140N4F6中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STB140N4F6规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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