9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSB012NE2LX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSB012NE2LX参考价格为0.918美元。Infineon Technologies BSB012NE2LX封装/规格：MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON。您可以下载BSB012NE2LX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSB012N03LX3 G是MOSFET N-Ch 30V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于BSB012N03 LX3GXUMA1 SP000597846，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及WDSON-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为8.4 ns，上升时间为8.6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为39A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型的关断延迟时间为47ns，典型的接通延迟时间为7.9ns，沟道模式为增强。
BSB008NE2LXXT是MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的关断延迟时间显示在数据表注释中，用于75 ns，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为OptiMOS，器件的上升时间为47.2 ns，器件具有800 uOhm的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为240 nC，Pd功耗为89 W，零件别名为BSB008NE2LXXUMA1 SP000880866，包装为卷筒，包装盒为MG-WDSON-2，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为180 A，下降时间为32.4 ns，配置为单双漏双源。
带有电路图的BSB008NE2LXXUMA1，包括1个通道数的通道，它们设计用于WDSON-2封装盒，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如BSB008NE2LX BSB008NE1LXXT SP000880866，系列设计用于BSB008NE2，以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS商品名。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
