STB20N60M2-EP

Name: STB20N60M2-EP
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7163670-STB20N60M2-EP
Price: 29.739347 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: 150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

包装数量 -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
包装/外壳到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
漏源电压标 (Vdss) 600 V
供应商设备包装 DPAK (TO-263)
工作温度 150摄氏度（TJ）
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22 nC@10 V
导通电阻 Rds(ON) -
最大栅源极电压 (Vgs) -
最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
最大功耗 -
漏源电流 (Id) @ 温度 13A（Tc）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.75V @ 250A

STB20N60M2-EP 产品详情

这些器件是基于创新的专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET，该技术与STMicroelectronics著名的PowerMESH水平布局结构相结合。所得到的产品具有极低的导通电阻，这是硅基功率MOSFET中无法比拟的，因此特别适用于需要卓越功率密度和卓越效率的应用。

特色

全球最佳RDS（on）*区域
更高的VDSSrating和更高的dv/dt能力
卓越的切换性能
100%雪崩测试

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STB20N60M2-EP所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STB20N60M2-EP 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STB20N60M2-EP价格参考￥29.739347，你可以下载 STB20N60M2-EP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STB20N60M2-EP规格参数、现货库存、封装信息等信息！