9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7102DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7102DN-T1-E3参考价格为0.69美元。Vishay Siliconix SI7102DN-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8。您可以下载SI7102DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI7102DN-T1-E3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI7101DN-T1-GE3是MOSFET-30V7.2mOhm@10V-35A P-Ch G-III，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷筒包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TrenchFET功率MOSFET等商标功能，包装盒设计用于PowerPAK-1212-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置是单一的，该器件提供52 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为-35 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为-1.2V至-2.5V，Rds漏极-源极电阻为7.2mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为43nC，正向跨导最小值为44S。
SI7100DN-T1-E3是MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在8 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于19 ns 14 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如61 ns 53 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为SI71xxDx，该器件的上升时间为57 ns 52 ns，该器件具有3.5 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为3.8 W，零件别名为SI7100DN-E3，包装为卷轴，封装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-50℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为26.1 A，下降时间为10 ns 8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7100DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8，包括单一配置，它们设计为在26.1 a Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作PowerPAK-1212-8封装盒。此外，封装为Reel，该器件以SI7100DN-GE3部件别名提供，该器件具有3.8 W Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为3.5 mOhms，系列为SI71xxDx，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。Vds漏极源极击穿电压为8 V，Vgs栅极-源极电压为8伏。
SI7100DN带有SI制造的EDA/CAD模型。SI7100DN采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
