9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSP299L6327HUSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSP299L6327HUSA1参考价格为0.51000美元。Infineon Technologies BSP299L6327HUSA1封装/规格：MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4。您可以下载BSP299L6327HUSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSP299 H6327带有引脚细节，包括BSP299系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSP299H6327XUSA1 SP001058628，提供单位重量功能，如0.006632盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-223-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为400mA，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型导通延迟时间为8ns，正向跨导最小值为1.2S，沟道模式为增强。
BSP299H6327XUSA1是MOSFET N-Ch 500V 400mA SOT-223-3，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.008826 oz，典型开启延迟时间设计为8 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有BSP299系列，上升时间为15 ns，Rds漏极-源极电阻为3.1欧姆，Qg栅极电荷为2.5 uC，Pd功耗为1.8 W，部件别名为BSP299 H6327 SP001058628，封装为卷筒，封装盒为SOT-223-4，信道数量为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为400 mA，正向跨导最小值为0.3 S，下降时间为30 ns，配置为单信道，信道模式为增强型。
BSP299 L6327，带有INFINEON制造的电路图。BSP299 L6327在SOT-223封装中提供，是FET的一部分-单个。
BSP299E6327是INFINEON制造的MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223。BSP299E6327在TO-261-4、TO-261AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223。
