9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFBA1405，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRFBA1405价格参考12.6美元。Infineon Technologies AUIRFBA1405封装/规格：MOSFET N-CH 55V 95A SUPER-220。您可以下载AUIRFBA1405英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRFB8409是MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供CoolIRFet等商品名称功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有375 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为100 ns，上升时间为105 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为195 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V至3.9V，Rds漏极源极导通电阻为1.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为160ns，典型接通延迟时间为32ns，Qg栅极电荷为300nC，正向跨导最小值为150S，信道模式是增强。
AUIRFB8405是MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 120A，包括2.2 V至3.9 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型开启延迟时间设计为14纳秒，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolIRFet商品名提供，该器件具有Si of Technology，上升时间为128 ns，漏极-源极电阻Rds为2.5 mOhms，Qg栅极电荷为107 nC，Pd功耗为163 W，封装为Tube，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为120 A，正向跨导最小值为100 S，下降时间为77 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
AUIRFB8407是MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A，包括增强信道模式，它们设计为使用单一配置运行，数据表注释中显示了53纳秒的下降时间，提供了前向跨导最小特性，如160 S，Id连续漏极电流设计为在195 a工作，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装方式为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-220-3封装盒，封装为管，Pd功耗为230 W，Qg栅极电荷为150 nC，Rds漏极-源极电阻为1.8 mOhms，上升时间为70 ns，技术为Si，商品名为CoolIRFet，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为78ns，典型接通延迟时间为19ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为2V至4V。
