9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRF7805Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRF7805Q价格参考2.164美元。Infineon Technologies AUIRF7805Q封装/规格：MOSFET N-CH 30V 13A 8SO。您可以下载AUIRF7805Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如AUIRF7805Q价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
AUIRF7769L2TR带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了用于DirectFET2-8的封装盒，该DirectFET提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及单配置，该设备还可以用作125 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为41 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为124 a，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs栅-源极阈值电压为2 V，Rds导通漏极-源极电阻为3.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为92ns，典型接通延迟时间为44ns，Qg栅极电荷为200nC，正向跨导最小值为410S，沟道模式为增强。
AUIRF7759L2TR是MOSFET Automotive 75V 160A 2.3mOhm DirectFET 2，包括75V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与N沟道晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供漏极-漏极电阻特性，如1.8mOhm，Pd功耗设计为工作在125W，以及卷轴封装，该器件也可以用作DirectFET-8封装盒。此外，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+175 C，器件具有160 a的Id连续漏电流。
AUIRF7799L2TR是MOSFET DirectFET 2 250V 35A 38mOhm Automotive，包括35 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+175 C，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该产品提供DirectFET-8等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及125 W Pd功耗，该器件也可以用作32毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有250V的Vds漏极-源极击穿电压。
AUIRF7749L2TR具有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于卷筒包装。
