9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDPF9N50NZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDPF9N50NZ参考价格为0.73000美元。onsemi FDPF9N50NZ封装/规格：MOSFET N-CH 500V TO-220FP。您可以下载FDPF9N50NZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDPF8N50NZU是MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.080072盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供40 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25 V，Id连续漏极电流为6.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V至5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为14nC，正向跨导最小值为6.3S。
FDPF8N60ZUT是MOSFET N-CH 600V TO-220F-3，包括5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600V，提供单位重量功能，如0.080072盎司，典型开启延迟时间设计为20纳秒，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为30 ns，漏极-源极电阻Rds为1.15欧姆，Qg栅极电荷为20 nC，Pd功耗为34.5 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为6.5A，正向跨导Min为7S，下降时间为35ns。
FDPF8N50NZT是FSC制造的MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F。FDPF8N50NZT提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F、N-通道500V 8A（Tc）40.3W（Tc）通孔TO-220F。
