9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4620DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4620DY-T1-E3参考价格为1.534美元。Vishay Siliconix SI4620DY-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 6A/7.5A 8SO。您可以下载SI4620DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4618DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4618DY E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ（半桥），最大功率为1.98W、4.16W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1535pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A、15.2A，最大Id Vgs为17mOhm@8A、10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为44nC@10V，Pd功耗为2.35W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为34 ns 45 ns，上升时间为87 ns 97 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为6.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极-源极电阻为17mOhms 10mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns 35ns，典型接通延迟时间为24ns，沟道模式为增强。
SI4618DY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO，包括2.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于16V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30V，提供单位重量功能，如0.017870盎司，晶体管类型设计用于2 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为8-SO，该设备为TrenchFETR系列，该设备具有17mOhm@8A，10V的Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为17mOhms 10mOhms，Qg栅极电荷为29nC 39nC，最大功率为1.98W，4.16W，Pd功耗为2.35W，零件别名为SI4618DY-GE3，包装为磁带和卷轴（TR），封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为1535pF@15V，Id连续漏极电流为8 A 15.2 A，栅极电荷Qg Vgs为44nC@10V，正向跨导最小值为40 S 47 S，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为8A、15.2A，配置为双路。
SI4620DY，带有SI制造的电路图。SI4620D可在SOP-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
