9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STFW6N120K3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STFW6N120K3价格参考2.974美元。STMicroelectronics STFW6N120K3封装/规格：MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT。您可以下载STFW6N120K3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STFW4N150是MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.245577盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-3P-3，以及Si技术，该设备也可用作1信道数信道。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供63 W Pd功耗，器件具有4 a Id连续漏电流，Vds漏极-源极击穿电压为1500 V，Rds漏极源极电阻为7欧姆，晶体管极性为N沟道。
STFW69N65M5是MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.245577 oz单位重量运行，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件也可以用作45毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为70W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-3P-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为58A。
STFW45N65M5带有电路图，包括通孔安装型，设计用于to-3PF封装盒，系列如数据表注释所示，用于MDmesh M5，提供Si等技术特性，单位重量设计为0.245577盎司。
