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STL11N60M2-EP
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STL11N60M2-EP

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6)高压 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥2.09262
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.09
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规格参数

  • 包装数量 -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.5A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 PowerFlat(5x6)高压

STL11N60M2-EP 产品详情

该器件是使用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,该器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适用于要求最高的高效率转换器。

特色

  • 极低门电荷
  • 卓越的输出容量(COSS)曲线
  • 100%雪崩测试
  • 齐纳保护
STL11N60M2-EP所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STL11N60M2-EP 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STL11N60M2-EP价格参考¥2.092619,你可以下载 STL11N60M2-EP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STL11N60M2-EP规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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