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MCH6436-TL-W

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: SC-88FL/MCPH6 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥39.29998
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥39.30
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.3V@1毫安
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Ta)
  • 最大功耗 1.5W(Ta)
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供应商设备包装 SC-88FL/MCPH6
  • 导通电阻 Rds(ON) 34毫欧姆 @ 3A, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 710 pF @ 10 V

MCH6436-TL-W 产品详情

MCH6436-TL-E是一种功率MOSFET,30V,34mΩ,6A,单N沟道,用于通用开关器件应用。

特色

  • 低导通电阻:RDS(导通)=34mΩ(最大值),VGS=4.5 V,ID=3 A
  • 通过减少传导损耗提高效率。减少散热
  • 高速切换
  • 减少动态功耗
  • 1.8V驱动器
  • 低压驱动
  • ESD二极管保护门
  • ESD电阻
  • 无铅和RoHS合规
  • 环境考虑因素

应用

  • 负载开关
  • 智能手机
  • 手机
  • 数字电视
  • 差示扫描量热法
MCH6436-TL-W所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MCH6436-TL-W 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MCH6436-TL-W价格参考¥39.299975,你可以下载 MCH6436-TL-W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MCH6436-TL-W规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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