9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL200N45LF7,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STL200N45LF7参考价格$2.43。STMicroelectronics STL200N45LF7封装/规格:MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT。您可以下载STL200N45LF7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL19N60DM2带有引脚细节,包括SMD/SMT安装类型,它们设计用于DFN-8封装盒,技术如数据表注释所示,用于Si,提供信道数功能,如1信道,配置设计用于1 N信道,以及1 N信道晶体管类型,该器件还可用作90 W Pd功耗,它的最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围是-55℃,器件的Vgs栅极-源极电压为25 V,Id连续漏极电流为11 a,Vds漏极-源极击穿电压为650 V,Vgs第栅极-源阈值电压为4 V,漏极-漏极电阻为320 mΩ,晶体管极性为N沟道,Qg栅极电荷为21nC,信道模式为增强。
带有用户指南的STL19N65M5,包括4 V Vgs第四栅极-源极阈值电压,它们设计为在25 V Vgs栅极-源电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示,用于710 V,提供典型的开启延迟时间功能,如36 ns,典型的关闭延迟时间设计为11 ns,以及1 N沟道晶体管类型,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,该器件为MDmesh M5系列,该器件具有7 ns的上升时间,漏极-源极电阻Rds为240 mOhms,Qg栅极电荷为31 nC,Pd功耗为90 W,封装为卷轴式,封装盒为PowerFlat-8,通道数为1通道,安装方式为SMD/SMT,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Id连续漏电流为12.5 A,下降时间为9 ns,配置为三重共源。
带有电路图的STL18N65M5,包括双双漏极配置,它们设计为在11 ns下降时间下工作,Id连续漏极电流如数据表注释所示,用于15 a,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,以及SMD/SMT安装样式,该设备也可以用作2信道数信道。此外,封装外壳为PowerFlat-8,器件采用卷筒封装,器件具有57W的Pd功耗,Qg栅极电荷为31nC,Rds漏极-源极电阻为240mOhm,上升时间为7ns,系列为MDmesh M5,技术为Si,晶体管极性为N沟道,晶体管类型为2N沟道,典型关断延迟时间为9ns,典型接通延迟时间为36ns,Vds漏极-源极击穿电压为650V,Vgs栅源极电压为25V,Vgsth栅源极阈值电压为4V。
STL18NM60N是MOSFET N沟道600 V 0.2 60 Ohm 6 A MDmesh II,包括SMD/SMT安装类型,它们设计为以单一配置运行。数据表说明中显示了用于Si的技术,该Si提供了卷盘等封装功能,封装盒设计为在PowerFlat-8以及N沟道MDmesh系列中工作,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,Vds漏极-源极击穿电压为600 V,器件的漏极-漏极电阻为310 mOhms Rds,器件的Vgs栅极-源极电压为25 V,Id连续漏极电流为12 a,Pd功耗为110 W,晶体管类型为1 N沟道,沟道数为1沟道,其最大工作温度范围为+150 C,其最低工作温度范围为-55℃。