9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4642DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4642DY-T1-E3参考价格为5.469934美元。Vishay Siliconix SI4642DY-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 34A 8SO。您可以下载SI4642DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si4638DY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于Si4638DY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有3 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为37ns，沟道模式为增强。
SI4638DY-T1-GE3是MOSFET 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作6.5mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为3 W，该器件以SI4638DY-GE3零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为SOIC窄-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为16 a，配置为单肖特基二极管。
SI4636DY-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC。SI4636DY-T1-E3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC、N沟道30V 17C（Tc）2.5W（Ta）、4.4W（Tc）表面安装8-SO。
