9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW6N120K3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW6N120K3参考价格为24.848美元。STMicroelectronics STW6N120K3封装/规格：MOSFET N-CH 1200V 6A TO247。您可以下载STW6N120K3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW69N65M5-4是MOSFET N-CH 650V 0.037Ohm 58A，包括MDmesh M5系列，它们设计用于管式封装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供MDmesh等商品名称功能，封装外壳设计用于to-247-4以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有330 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11.5 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为58 a，Vds漏极-源极击穿电压为710V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds漏极源极导通电阻为37mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为143nC。
STW69N65M5是MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以1.340411 oz单位重量运行。数据表中显示了用于N沟道的晶体管极性，该N沟道提供了Si等技术特性，该器件也可以用作330W Pd功率耗散。此外，包装为管式，装置采用TO-247-3包装盒，装置具有安装式通孔，Id连续漏电流为58A。
STW6N100E，带有ST制造的电路图。STW6N1 00E采用TO247封装，是IC芯片的一部分。
