9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP223N04NGHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP223N04NGHKSA1参考价格为5.718美元。英飞凌科技IPP223N04NGHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3。您可以下载IPP223N04NGHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP2020N08N5带有引脚细节，包括IPP2020NO8系列，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP200N08N5AKSA1 SP001132480，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-3包装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件采用1 N信道配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为375 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为37 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为102ns，典型接通延迟时间为40ns，Qg栅极电荷为178nC，并且前向跨导Min为114S，并且信道模式为增强。
IPP2020N08N5AKSA1和用户指南，包括2.2 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，提供单位重量功能，如0.211644 oz，典型开启延迟时间设计为40 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为36 ns，漏极-源极电阻Rds为2.4 mOhms，Qg栅极电荷为178 nC，Pd功耗为375 W，部件别名为IPP20N08N5 SP001132480，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为120 A，正向跨导最小值为114 S，下降时间为37 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP223N04N G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3。IPP223N04N G采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3。
