9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL8N6LF3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL8N6LF3参考价格$2.47。STMicroelectronics STL8N6LF3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT。您可以下载STL8N6LF3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL8N10LF3是MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6，包括STripFET？III系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-PowerSMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可以用作表面安装安装类型。此外，信道数为1信道，设备采用PowerFlat？（5x6）供应商设备包，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，最大功率为70W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis Vds为970pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为20A（Tc），最大Id Vgs的Rds为35mOhm@4A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20.5nC@10V，Pd功耗为70W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.2 ns，上升时间为9.6 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.8A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V至3V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50.6ns，典型导通延迟时间为8.7ns，Qg栅极电荷为20.5nC。
带有用户指南的STL8N10F7，包括4.5 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于+/-20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该器件也可以用作N沟道STripFET系列。此外，Rds漏极-源极电阻为20欧姆，器件提供22 nC Qg栅极电荷，器件具有3.5 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为PowerFlat-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为8 A，配置为单通道，通道模式为增强型。
STL8N65M2带有电路图，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供信道数功能，如1信道，封装盒设计用于PowerFlat-8以及卷筒封装，该设备也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有650 V的Vds漏极-源极击穿电压，Vgs栅极-源极电压为25 V。
