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IPD50R380CEBTMA1是MOSFET N-Ch 500V 9.9A DPAK-2，包括IPD50R180系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在IPD50R280CE SP000992080中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商标，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为73 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.6 ns，上升时间为5.6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为9.9A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型导通延迟时间为7.2ns，Qg栅极电荷为24.8nC。
IPD50R399CPATMA1带有用户指南，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，例如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为35 ns，以及80 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件以CoolMOS商品名提供，器件具有Si of Technology，系列为XPD50R399，上升时间为14ns，漏极-源极电阻Rds为399mOhm，Qg栅极电荷为17nC，Pd功耗为83W，部件别名为IPD50R399CP SP001117700，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为9 A，下降时间为14 ns，配置为单一。
IPD50R399CP是MOSFET N-CH 550V 9A TO-252，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于14 ns，提供Id连续漏极电流特性，如9 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一卷封装，部件别名为IPD50R399CPBTMA1 IPD50R199CPXT SP000307379，Pd功耗为83 W，漏极电阻Rds为399 mOhms，上升时间为14 ns，系列为CoolMOS CP，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为35ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPD50R380CEATMA1带有EDA/CAD型号，包括TO-252-3封装盒，它们设计为使用硅技术操作。数据表说明中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供部件别名功能，如IPD50R180CE SP001117698，商品名设计用于CoolMOS，以及500 V Vds漏极-源极击穿电压。
