9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4825DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4825DY-T1-E3参考价格为7.79美元。Vishay Siliconix SI4825DY-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO。您可以下载SI4825DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4825DDY-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4825DDY-GE3的零件别名，该SI4825DDY-GE3提供单位重量功能，例如0.006596盎司，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为5W，晶体管类型为1个P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为2550pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为14.9A（Tc），最大Id Vgs的Rds为12.5mOhm@10A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为86nC@10V，Pd功耗为2.7W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为9 ns 19 ns，上升时间为12 ns 92 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为10.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为12.5 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为40 ns 34 ns，并且典型的开启延迟时间是13ns 48ns，并且信道模式是增强。
SI4825-DEMO带有用户指南，包括调谐器类型，它们设计用于使用SI4825工具进行评估，提供的内容如数据表注释所示，用于板，提供SI4825等系列功能，产品设计用于演示板，以及散装包装，该设备也可用作2 V工作电源电压。此外，频率为504 kHz至1750 kHz 2.3 MHz至109 MHz，该设备采用Si4825与相关产品一起使用，该设备具有Si4825用于，描述功能为BOARD EVAL Si4825。
SI4825DDY-TI-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SI4825DDY-TI-GE3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
SI4825DY是由SI制造的Trans-MOSFET P-CH 30V 8.1A 8引脚SOIC N。SI4825D可在SOP-8封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持Trans-MOSMOSFET P-CH 30 V 8.1A 8-Pin SOIC N。
