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IPPC034NE7N3 G是MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPPC034NE 7N3GXK IPPC034 NE7N3GXKSA1 SP000641724中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为214 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为85 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为88nC，正向跨导最小值为150S 75S。
IPP037N06L3 G是MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为64 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为78 ns，漏极-源极电阻Rds为3.7 mOhms，Pd功耗为167 W，部件别名为IPP037N06L3GXK IPP037NO6L3GXKSA1 SP000680774，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为90 A，下降时间为13 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP034NE7N3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3。IPPC034NE7N3G采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3。
IPP037N06L3G是INFINON制造的MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3。IPP037N06L3G采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3。
