9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL9N80K5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL9N80K5参考价格为5.746美元。STMicroelectronics STL9N80K5封装/规格：MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT。您可以下载STL9N80K5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STL90N10F7是MOSFET N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII，包括N沟道STripMOSFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，该设备也可以用作双双漏极配置。此外，晶体管类型为2N沟道，器件提供5W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为16 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs第h栅极-源极端电压为3 V，漏极-源极电阻Rds为10.5mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为39nC。
STL90N3LLH6是MOSFET N-Ch 30V 0.0028 24A STripFET VI，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，该器件也可以用作N沟道STripFET系列。此外，Rds漏极-源极电阻为2.8毫欧，器件提供15 nC Qg栅极电荷，器件具有60 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为PowerFlat-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏极电流为24 a，配置为单通道。
STL90N6F7，带有ST制造的电路图。STL90N7F7可在QFN8封装中获得，是晶体管-FET、MOSFET-单个、，并支持“MOSFET N沟道60 V、N沟道60V 90A（Tc）4.8W（Ta）、94W（Tc）表面安装PowerFlat？（5x6）、Trans MOSFET N-CH 60V 90V 8针电源Flat EP T/R、MOSFET N信道60 V、典型值0.0046欧姆、PowerFlat 5x6封装中的90 A STripFET F7功率MOSFET”。
STL92N10F7AG与ST.制造的EDA/CAD模型是晶体管-FET、MOSFET-单个、，并支持“MOSFET汽车级N沟道100 V、N沟道100V 16A（Tc）5W（Ta）、100W（Tc）表面贴装PowerFlat”（5x6）、Trans MOSFET N-CH 100V 70A汽车8针电源平板EPT/R、MOSFET汽车级别N沟道100%V、典型值0.008欧姆、16 A STripFET F7功率MOSFET，采用PowerFlat 5x6封装。
