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IPD50R520CP是MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名显示在IPD50R5 20CPBTMA1 IPD50R420CPXT SP000307380中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为66W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17ns，上升时间为14ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.1A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为520mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
IPD50R500CEBTMA1是MOSFET N-Ch 500V 7.6A DPAK-2 CoolMOS CE，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及CoolMOS商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为500 mOhm，该器件提供18.7 nC Qg栅极电荷，该器件具有57 W的Pd功耗，部件别名为IPD50R500CE IPD50R000CEXT SP000988424，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为7.6 A，配置为单一。
IPD50R520CPATMA1带有电路图，包括TO-252-3封装盒，它们设计用于卷筒封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD50R5 20CP SP001117706，提供Si等技术特性，商品名设计用于CoolMOS，以及500 V Vds漏极-源极击穿电压。
IPD50R500CEAUMA1具有EDA/CAD模型，包括TO-252-3封装盒，它们设计为使用Si技术进行操作。数据表说明中显示了用于卷筒的封装，该卷筒提供了零件别名功能，如IPD500R500CE。
