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IPD65R420CFD是MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252，包括CoolMOS CFD2系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在IPD65R520CFDBTMA1 IPD65R320CFDXT SP000891704中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术是Si，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为83.3W，下降时间为8ns，上升时间为7ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为8.7A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4V，漏极-源极电阻Rds为420mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为32nC。
IPD65R420CFDATMA1带有用户指南，其中包括CoolMOS商品名，它们设计用于使用Si技术，数据表注释中显示了IPD65R520CFD SP001117738中使用的零件别名，该产品提供卷筒等包装功能，包装箱设计用于to-252-3。
IPD65R420CFDA，带有INF制造的电路图。IPD65R520CFDA采用TO-252封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252。
