9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STFI10LN80K5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STFI10LN80K5参考价格为2.726美元。STMicroelectronics STFI10LN80K5封装/规格：MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP。您可以下载STFI10LN80K5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STFI10N62K3带有引脚细节，包括N通道MDmesh系列，它们设计用于管封装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供I2PAKFP-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供30 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为8.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为620V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.75V，Rds导通漏极-漏极电阻为680mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为41ns，典型接通延迟时间为14.5ns，Qg栅极电荷为42nC，沟道模式为增强。
带用户指南的STFI10N65K3，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供典型的开启延迟时间功能，如14.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为44 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件具有14 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为750 mOhms，Qg栅极电荷为42 nC，Pd功耗为35 W，封装为管，封装盒为I2PAKFP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为10 A，下降时间为35 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STFEM05-02F1，带有ST制造的电路图。STFEM005-2F1以sod523封装形式提供，是IC芯片的一部分。
