9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP12CN10LGHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP12CN10LGHKSA1参考价格1.136美元。Infineon Technologies IPP12CN10LGHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3。您可以下载IPP12CN10LGHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP126N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP126N1 0N3GXK IPP126N 0N3GXKSA1 SP000683088，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为94 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为58A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为12.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
IPP12CN10L G是MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为39 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS 2系列，上升时间为9 ns，漏极电阻Rds为12 mOhms，Pd功耗为125 W，部件别名为IPP12CN10LGXK IPP12CN00LGXKSA1 SP000680864，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为69 A，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP126N10N3GPXKSA1是MOSFET N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。封装如数据表中所示，用于管中，提供部件别名功能，如G IPP126N20N3IPP126N3GPXK SP000683088，该设备也可以用作OptiMOS商品名。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
IPP12CN10L（12CN10L），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP12CN10L（12CN10L）采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
