这些器件是使用新一代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET：MDmesh II Plus低Qg。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的带状布局相关联，从而产生世界上最低的导通电阻和栅极电荷。因此，它们适用于要求最高的高效率转换器。
特色
- 极低门电荷
- 较低RDS（on）xareavspreviousgeneration
- 低栅极输入电阻
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
STFI11N60M2-EP
- 描述:MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥40.84996
-
数量:
- +
- 总计: ¥40.85
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规格参数
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 技术 -
- 场效应管类型 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 7.5A (Tc)
STFI11N60M2-EP 产品详情
STFI11N60M2-EP 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| STF 72 | 泰科航天 (TE) | STF 72 | ¥1.20145 |
 | STF202-22T1 | 安盛美 (onsemi) | 种类: 低通 技术: RC（Pi） 值: R=22欧姆，C=68皮法 通道数量: two 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥1.44858 |
 | STFPC320BTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥26.36416 |
| STF11N65M2(045Y) | 意法半导体 (STMicroelectronics) | ¥3.56206 | |
| STF20NM65N-Y11 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | ¥8.66758 | |
| STF0204 | COMPLETE BUBBLE ANTI-FATIGUE/ANT | ¥0.00 | |
| STF2 | NMC SAF-T-FLAG, PLASTIC DIAGONAL | ¥0.00 | |
| STF3 | 18X18" MESH SAF-T-FLAG, 27" WOOD | ¥0.00 | |
| STF1 | NMC SAF-T-FLAG, NO DIAGONAL | ¥0.00 | |
| STF-300C-WA-M | RS-232/422/485 To FiberConverter | ¥0.00 |
STFI11N60M2-EP所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STFI11N60M2-EP 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STFI11N60M2-EP价格参考￥40.849956，你可以下载 STFI11N60M2-EP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STFI11N60M2-EP规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
