久芯网

IRL3803LPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 200W (Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥22.32262
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22.32
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 140A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 71A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 140 nC@4.5 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5000 pF @ 25 V
  • 最大功耗 3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-262
  • 包装/外壳 TO-262-3长引线,我巴基斯坦,TO-262AA
  • 部件状态 过时的

IRL3803LPBF 产品详情

国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,以实现每个硅区域的最低导通电阻。这一优势,加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种适用于各种应用的极为高效的器件。

● 逻辑电平门驱动
● 先进工艺技术
● 超低导通电阻
● 动态dv/dt额定值
● 175°C工作温度
● 快速切换
● 完全雪崩等级

特色

  • 用于宽SOA的平面单元结构
  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 硅优化用于低于100kHz的应用切换
  • 行业标准通孔电源组件
  • 高载流能力封装(高达195 A,取决于管芯尺寸)
  • 能够进行波峰焊接
IRL3803LPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRL3803LPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRL3803LPBF价格参考¥22.322618,你可以下载 IRL3803LPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRL3803LPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部