9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPU60R1K4C6BKMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPU60R1K4C6BKMA1参考价格为0.33000美元。Infineon Technologies IPU60R1K4C6BKMA1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3。您可以下载IPU60R1K4C6BKMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPU60R1K4C6是MOSFET N-Ch 650V 3.2A IPAK-3，包括XPU60R1系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPU60R1 K4C6BKMA1 IPU60R2 K4C6XK SP000931530，该IPU60R4 SP000931提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于PG-TO251，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1 N沟道，该器件为1 N型沟道晶体管，该器件具有28.4 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为3.2 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为9.4nC，沟道模式为增强。
IPU60R1K0CEBKMA1带有用户指南，包括2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供0.012102 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为10 ns，以及60 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有技术硅，上升时间为8ns，Rds漏极-源极电阻为1欧姆，Qg栅极电荷为13nC，Pd功耗为37W，部件别名为IPU60R1K0CE SP001276056，封装为管，封装外壳为TO-251-3，通道数量为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为4.3 A，下降时间为13 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的IPU60R1K4C6AKMA1，包括TO-251-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPU60R1 K4C6 SP001292874的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
