福利
● 低栅极到漏极电荷以降低开关损耗
● 充分表征电容，包括简化设计的有效COSS（见附录注释AN1001）
● 充分表征雪崩电压和电流
应用
● 高频DC-DC转换器
特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 针对10 V栅极驱动电压（称为正常电平）进行了优化
- 行业标准表面安装电源组件
- 能够进行波峰焊接
IRF7737L2TRPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta), 156A (Tc) 最大功耗: 3.3W（Ta），83W（Tc） 供应商设备包装: DIRECTFET L6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥18.09276
-
数量:
- +
- 总计: ¥18.09
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 150A
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 134 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 31A (Ta), 156A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 1.9毫欧姆@94A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5469 pF @ 25 V
- 最大功耗 3.3W（Ta），83W（Tc）
- 供应商设备包装 DIRECTFET L6
- 包装/外壳 DirectFET等距L6
IRF7737L2TRPBF 产品详情
IRF7737L2TRPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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IRF7737L2TRPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF7737L2TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF7737L2TRPBF价格参考￥18.092764，你可以下载 IRF7737L2TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF7737L2TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
