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IPD60R380C6是MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252，包括XPD60R380系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名显示在IPD60R480C6ATMA1 IPD60R180C6BTMA1 IPP60R380C6XT SP000660628中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商标，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为83 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为10.6A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型导通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为32nC。
IPD60R2K1CEBTMA1带有用户指南，包括2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为7 ns，以及30 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有技术硅，上升时间为7ns，Rds漏极-源极电阻为2.1欧姆，Qg栅极电荷为6.7 nC，Pd功耗为22W，部件别名为IPD60R2K1CE SP001276038，封装为卷筒，封装外壳为TO-252-3，通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为2.3 A，下降时间为50 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPD60R380C6BTMA1带有电路图，包括9 ns的下降时间，它们设计为在10.6 a Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，包装为卷筒，该器件以IPD60R380C6 IPD60R480C6XT SP000660628零件别名提供，该器件具有83 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为32 nC，Rds漏极-源极电阻为380 mOhm，上升时间为10 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为15ns，单位重量为0.139332oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为3V。
IPD60R380C6ATMA1带有EDA/CAD型号，包括TO-252-3封装盒，它们设计为使用硅技术操作。数据表说明中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计为在IPD60R480C6SP001117716中工作，以及CoolMOS商标，该器件也可以用作600V Vds漏极-源极击穿电压。此外，晶体管类型为1 N通道，该器件提供1通道通道数。
